3극관의 기본 정의

트랜지스터(트랜지스터라고도 함)는 중국어 의미에서{0}3핀 증폭기 장치의 일반적인 용어일 뿐입니다. 우리가 흔히 말하는 3극관은 여러 장치일 수 있습니다.

모두 3극관이라고 하지만 실은 영어 표현이 많이 다르다는 것을 알 수 있습니다. 삼극관이라는 용어는 실제로 중국어 고유의 그림 문자입니다.

"Triode" (electronic triode) is the only English translation of "triode" in the English-Chinese dictionary. It is related to the first appearance of electronic triode, and is the item originally referred to by the word triode in the true sense. The rest of the devices called triodes in Chinese cannot be translated into Triodes in actual translation.

전자 3극관 3극관(일반적으로 전자관의 일종으로 알려짐)

양극성 접합 트랜지스터 BJT(Bipolar Junction Transistor)

J{0}}형 전계 효과 트랜지스터 접합 게이트 FET(전계 효과 트랜지스터)

금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 MOS FET(금속 산화물 반도체{0}}도체 전계 효과 트랜지스터) 영어 전체 이름

V{0}}홈 전계 효과 트랜지스터 VMOS(수직 금속 산화물 반도체)

참고: 이 세 개는 전계 효과 트랜지스터인 것 같습니다. 실제로 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터와 V{0}}홈 채널 전계효과 트랜지스터는 유니폴라(Unipolar) 구조로 바이폴라(Bipolar)에 해당하므로 유니폴라 트랜지스터(Unipolar 접합 트랜지스터).

그 중 J{0}}형 전계 효과 트랜지스터는 비절연형 전계 효과 트랜지스터이고 MOS FET와 VMOS는 모두 절연형 전계 효과 트랜지스터입니다.

VMOS는 MOS를 기반으로 개선된 고전류 및 고배율(교차{0}}채널)을 갖춘 새로운 유형의 전력 트랜지스터입니다. 차이점은 V{1}} 모양의 홈을 사용한다는 것인데, 이는 MOS 튜브의 증폭 계수와 작동 전류를 크게 향상시키지만 또한 크게 증가합니다. MOS 튜브의 고출력{2}}개선 제품이지만 구조가 기존 MOS와 크게 다릅니다. VMOS는 MOS 고유의 인핸스먼트 모드만 있고 공핍 모드는 없는 MOS 튜브입니다.