사이리스터

또한 흉선 정류로 알려진 흉선, 한 번 흉선이라고했다; 1957년 미국 제너럴 일렉트릭은 세계 최초의 타임리스트 제품을 개발하여 1958년에 상용화했습니다. 흉선은 양극, 음극 및 게이트의 세 가지 극을 가지고 PNPN 4 층 반도체 구조입니다. 흉선의 작업 조건은 다음과 같습니다 : 전방 전압이 적용되고 게이트에는 트리거 전류가 있습니다. 그 파생 된 장치는 다음과 같습니다 빠른 시리스트, 양방향 흉선, 역전도 흉선, 빛 제어 흉선, 기타. 회로의 텍스트 기호 "V"와 "VT"로 표시되는 고출력 스위칭 반도체 장치입니다(이전 표준의 문자 "SCR"으로 표시됨). Thyristor는 실리콘 정류기 장치의 특성을 가지며, 고전압 및 고전류 조건에서 작동할 수 있으며, 작동 공정을 제어할 수 있으며 제어 가능한 정류, AC 전압 조절, 비접촉 식 전자 스위치, 인버터 및 주파수 변환에 널리 사용됩니다. 회로에서.