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KLMAG1JETD-B041자세히 보기
Samsung KLMAG1JETD-B041은 32GB eMMC 5.1 내장 플래시 저장 장치로, 소형 BGA 패키지 내에 고성능 NAND 플래시와 고급 eMMC 컨트롤러가
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KLM4G1FETE-B041자세히 보기
Samsung KLM4G1FETE-B041은 소형, 저전력, 고{7}}신뢰성 스토리지 애플리케이션용으로 설계된 4GB eMMC 5.1 내장형 플래시 메모리 장치입니다. NAND
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K4B4G1646E-BMMA자세히 보기
Samsung K4B4G1646E-BMMA는 고속-저전력 메모리 애플리케이션에 최적화된 4Gb DDR3 SDRAM 장치입니다. 이 장치는 x16 데이터 폭을 제공하며 가전제품,
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H9HCNNNBKMLXR-NEE자세히 보기
SK 하이닉스 H9HCNNNBKMLXR-NEE는 고성능 UFS 플래시 스토리지와 저전력 LPDDR4X DRAM을 하나의 소형 BGA 패키지에 결합한 통합 uMCP(UFS +
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K4F6E3S4HM-THCL자세히 보기
Samsung K4F6E3S4HM-THCL은 고성능, 저전력-모바일 및 임베디드 애플리케이션용으로 설계된 24Gb LPDDR4 SDRAM 장치입니다. 차세대 스마트폰, AIoT
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MT53E512M32D1NP-046자세히 보기
Micron MT53E512M32D1NP-046은 고성능 및 전력{12}} 효율적인 애플리케이션에 최적화된 16Gb LPDDR4X(저전력 DDR4X) SDRAM 장치입니다. 이
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MT53D512M32D2DS-053자세히 보기
Micron MT53D512M32D2DS-053은 고성능, 저전력 애플리케이션용으로 설계된 16Gb LPDDR5 SDRAM 장치입니다.{10}}차세대 모바일, AIoT, 자동차
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TM-002-M-01자세히 보기
TM-002-M-01
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TM-001-D1-01자세히 보기
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DSHP01TS-S자세히 보기
DSHP01TS-S




