트랜지스터

• 2SK2225-E

  • 높은 파괴전압(VDSS=1500 V) • 고속 스위칭 • 낮은 구동 전류 • 2차 파괴 없음 • 스위칭 레귤레이터, DC-DC 컨버터에 적합

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• IRFP4668

  이점개선된 게이트, 애벌랜치 및 동적 dV/dt 견고성완전히 특성화된 커패시턴스 및 애벌랜치 SOA향상된 바디 다이오드 dV/dt 및 dI/dt 기능무연

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• VIPER12A

  VIPer12A는 동일한 실리콘 칩에 전용 전류 모드 PWM 컨트롤러와 고전압 전력 MOSFET을 결합했습니다.

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• IRFHS9351TRPBF

  전도 손실 감소로 더 나은 열 발산 가능 전력 밀도 증가 제조 용이성 환경 친화적 안정성 향상

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• IRLML0030TRPBF

  낮은 스위칭 손실 다중 공급업체 호환성 더 쉬운 제조 환경 친화적 신뢰성 증가

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• 전계 효과 트랜지스터 2N7002ET1G

  2N7002ET1G는 N채널 전계 효과 트랜지스터 유형의 소신호 MOSFET으로 낮은 전도성 저항을 특징으로 합니다.

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• RF 전력 LDMOS 트랜지스터 MRFE6VP5300N

  MRFE6VP5300N은 광대역 RF 전력 LDMOS 트랜지스터 N--채널 향상--모드 측면 MOSFET입니다.

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• 파워 MOSFET 파워 MOSFET

  STR2P3LLH6은 P채널 전력 MOSFET 전계 효과 트랜지스터입니다. 이 장치는 부하 스위치 또는 PWM 애플리케이션으로 사용하기에 적합합니다.

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• ISL9V3040S3ST

  ISL9V3040S3ST는 EcoSPARKŠ 300mJ, 400V, N채널 점화 IGBT이며 향상된 성능을 위해 최적화된 로직 레벨 게이트 드라이브를 갖춘 인상적인

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• IRF4905PBF

  IRF4905PBF MOSFET 트랜지스터는 온 저항이 매우 낮은 고효율 전자 부품입니다. 즉, 작동 시 전력 소비가 거의 없으므로 전원 공급 회로, 모터 제어 회로 및 기타

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• IRF3205STRLPBF

  IRF3205STRLPBF는 고급 공정 기술, 초저 온 저항, 동적 dv/dt 정격 및 빠른 스위칭 기능을 갖춘 강력한 MOSFET 트랜지스터입니다. 이 전자 부품은 최적의

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• BTA12-600BRG

  BTA{0}}BRG는 범용 AC 스위칭 애플리케이션에 매우 적합한 고품질 사이리스터입니다. 안정적이고 효율적인 성능을 갖춘 이 장치는 다양한 장치 및 응용 분야에서 전기 흐름을

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