LP2998‑Q1

주요 특징

유형:DDR 메모리 터미네이션 레귤레이터(VTT/VREF 생성기)

자동차 등급:AEC-Q100 인증(1등급, –40도 ~ +125도)

입력 전압 범위: 2.2 V – 5.5 V

출력 전압(VTT):트랙 ½ × VDDQ

기준 전압(VREF):½ × VDDQ ± 1%

출력 전류:±2A(일반적인 연속 소스/싱크 기능)

드롭아웃 전압:2A 부하에서 일반 150mV

대기 전류:150μA(일반)

스위칭 주파수:선형 레귤레이터(비-스위칭)

안정:10μF 세라믹 출력 커패시터만 필요

과열 차단 및 과{0}}전류 보호

핀 활성화:전원 시퀀싱 및 시스템 제어용

패키지:8핀 SOIC(DDA) 또는 WSON(NGD)

작동 온도 범위:–40도 ~ +125도

자격:AEC-Q100, PPAP 사용 가능

RoHS/REACH 준수

응용

자동차 인포테인먼트 및 내비게이션 시스템

첨단 운전자 보조 시스템(ADAS)

자동차 계기판

ECU, 라우터, 게이트웨이용 DDR2 및 DDR3 메모리 터미네이션

산업용 및 임베디드 컴퓨팅 플랫폼

성능 요약

정밀한 DDR VTT 추적 및 VREF 출력 제공

DDR2(1.8V VDDQ) 및 DDR3(1.5V VDDQ) 메모리 시스템 모두 지원

동적 버스 로딩에 대한 빠른 과도 응답

낮은 ESR 세라믹 커패시터로 안정적

자동차-등급 신뢰성 및 열 보호